“تعتبر عمليات التبديل العابرة السريعة في تبديل المنظمين مفيدة لأنها تقلل بشكل كبير من خسائر التبديل في إمدادات الطاقة في وضع التبديل. خاصة في ترددات التحويل العالية ، يمكن تحسين كفاءة تبديل المنظمين بشكل كبير. ومع ذلك ، هناك أيضًا بعض الجوانب السلبية للتحولات السريعة للتبديل. يزداد التداخل بشكل كبير عندما يكون تردد التبديل بين 20 ميجاهرتز و 200 ميجاهرتز.هذا يجعل من الضروري لمطوري إمدادات الطاقة في وضع التبديل إيجاد توازن جيد بين الكفاءة العالية والتداخل المنخفض في نطاق التردد العالي
“
تعتبر عمليات التبديل العابرة السريعة في تبديل المنظمين مفيدة لأنها تقلل بشكل كبير من خسائر التبديل في إمدادات الطاقة في وضع التبديل. خاصة في ترددات التحويل العالية ، يمكن تحسين كفاءة تبديل المنظمين بشكل كبير. ومع ذلك ، هناك أيضًا بعض الجوانب السلبية للتحولات السريعة للتبديل. يزداد التداخل بشكل كبير عندما يكون تردد التبديل بين 20 ميجاهرتز و 200 ميجاهرتز. هذا يجعل من الضروري لمطوري إمدادات الطاقة في وضع التبديل إيجاد حل وسط جيد بين الكفاءة العالية والتداخل المنخفض في نطاق التردد العالي. بالإضافة إلى ذلك ، اقترحت ADI تقنية Silent Switcher المبتكرة ، حتى حواف التبديل السريعة للغاية ، قد تولد أيضًا الحد الأدنى من الإشعاع الكهرومغناطيسي.
يوضح الشكل 1 انتقالات التبديل السريعة والبطيئة. تخلق انتقالات التبديل السريع اقتران تداخل أقوى بمقاطع الدائرة المجاورة. يمكن أن تقترن آثار ثنائي الفينيل متعدد الكلور مع التغيرات المفاجئة في الجهد بشكل مكثف بآثار مجاورة ذات مقاومة عالية. يمكن أن تقترن آثار ثنائي الفينيل متعدد الكلور مع التغييرات الحالية المفاجئة بشكل استقرائي مع الآثار المجاورة. يمكن تقليل هذه التأثيرات عن طريق إبطاء انتقالات التحويل. يوضح الشكل 2 تقنية مجربة لمنظمي التحويل غير المتزامن. هنا ، يستخدم أحد المفتاحين صمام ثنائي شوتكي. يؤدي وضع المقاوم في سلسلة مع مكثف التمهيد CBOOT (الذي يوفر جهد البوابة لقناة n عالية الجانب) إلى إبطاء تحولات التبديل للمفتاح. يمكن استخدام هذه الحيلة لدمج منظمات التبديل عندما لا يكون من الممكن ضبط خط إشارة البوابة مباشرة من MOSFET. إذا تم استخدام وحدة التحكم في التبديل مع MOSFET خارجي ، فيمكن أيضًا إدخال المقاومات في آثار محرك البوابة. عادة ما تكون قيمة المقاومة أقل من 100Q.
ومع ذلك ، فإن معظم منظمات التبديل الحديثة هي منظمات تبديل متزامنة مع مفاتيح نشطة عالية الجانب ومنخفضة الجانب. هنا ، لا يؤدي استخدام المقاومات في مسار CBOOT إلى إبطاء انتقالات التبديل بشكل كبير. إذا تم استخدام المقاوم المتسلسل مع CBOOT هنا مرة أخرى (كما هو موضح في الشكل 3) ، فإنه سيؤدي أيضًا إلى إبطاء انتقالات التبديل للمفتاح عالي الجانب. ومع ذلك ، قد يؤدي هذا إلى عدم إيقاف تشغيل مفتاح الجانب المنخفض بشكل كامل. لذلك ، قد يتم تشغيل مفتاح الجانب العلوي ومفتاح الجانب المنخفض على الفور في نفس الوقت. سيؤدي ذلك إلى حدوث ماس كهربائي مدمر من جهد الدخل إلى الأرض. يعد هذا أمرًا بالغ الأهمية نظرًا لأن تبديل سرعات الانتقال يتأثر أيضًا بمعلمات مثل درجة حرارة التشغيل والتنوع في تصنيع أشباه الموصلات. لذلك ، حتى في الاختبارات المعملية ، لا يمكن ضمان التشغيل الآمن. لإبطاء تحولات التبديل لمنظم التبديل المتزامن مع مفاتيح التبديل المدمجة ، استخدم منظم التبديل المتزامن الذي يمكنه ضبط سرعة انتقال التبديل مباشرة من خلال الدوائر الداخلية ، مثل ADI’s ADP5014. في هذه الدوائر المتكاملة ، يتم التأكد داخليًا من أنه عند إبطاء انتقالات التبديل ، لا يعمل المفتاحان في نفس الوقت ، لذلك لا توجد دائرة قصر ، ولا توجد مقاومة في مسار CBOOT.
فيما يتعلق بانتقالات التبديل السريع ، كان هناك ابتكار مهم للغاية في السنوات الأخيرة لا يمكن تجاهله. تعمل تقنية Silent Switcher من ADI على تقليل الانبعاثات الكهرومغناطيسية بشكل كبير عند حواف التبديل السريع بما يصل إلى 40 ديسيبل (10000 مرة). وبالتالي. يمكن تطوير مصادر طاقة في وضع التبديل مع حواف فائقة السرعة وقليل من مشكلات التوافق الكهرومغناطيسي. في معظم الحالات ، لا تحتاج أجهزة Silent Switcher إلى تقليل سرعة التبديل لتقليل EMI. مع تقنية Silent Switcher ، يتم التخلص إلى حد كبير من المفاضلة بين كفاءة التحويل القصوى والحد الأدنى من EMI.